MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 30 A 650 V, Foro passante Miglioramento, 4 Pin SCT040W65G3-4
- Codice RS:
- 366-221
- Codice costruttore:
- SCT040W65G3-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 366-221
- Codice costruttore:
- SCT040W65G3-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Frequenza | 1 MHz | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Potenza di uscita | 240W | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 20.1mm | |
| Larghezza | 15.9 mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Frequenza 1 MHz | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Potenza di uscita 240W | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 20.1mm | ||
Larghezza 15.9 mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da un valore RDS(on) molto basso nell'intero intervallo di temperatura, oltre a basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.
RDS(on) molto basso per l'intero intervallo di temperatura
Elevate prestazioni di commutazione
Diodo intrinseco molto veloce e robusto
Capacità molto elevata di temperatura d'esercizio della giunzione
Perno di rilevamento sorgente per una maggiore efficienza