MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 65 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 398-423P
Codice costruttore:: TSM2302CX RFG
Costruttore:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 65 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità
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Codice RS:: 398-423P
Codice costruttore:: TSM2302CX RFG
Costruttore:: Taiwan Semiconductor

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,8 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	65 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	900 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.05mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3,69 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.95mm

MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 65 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza canale N, Taiwan Semiconductor