MOSFET Toshiba, canale N, 100 mΩ, 5 A, PW Mold, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
415-342
Codice costruttore:
2SK4033(TE16L1,NQ)
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

PW Mold

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

100 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

20 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

15 nC a 10 V

Larghezza

5.5mm

Lunghezza

6.5mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.3mm

Serie

2SK