MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Codice RS:: 415-354P
Codice costruttore:: 2SK3878(F)
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 415-354P
Codice costruttore:: 2SK3878(F)
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9 A
Tensione massima drain source	900 V
Serie	2SK
Tipo di package	TO-3PN
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,3 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Dissipazione di potenza massima	150 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	15.9mm
Larghezza	4.8mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	19mm

MOSFET Toshiba, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

MOSFET a canale N , serie 2SK, Toshiba