MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 90 V, 3 Ω Modalità di potenziamento, 350 mA, 3 Pin, TO-92-3

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Codice RS:
598-308
Codice costruttore:
VN2450N8-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Canale N FET DMOS

Massima corrente di scarico continua Id

350mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

90V

Tipo di package

TO-92-3 (TO-226AA)

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

4.19 mm

Lunghezza

5.08mm

Altezza

5.33mm

Standard automobilistico

No

Il transistor verticale a modalità di potenziamento del canale N Microchip utilizza una struttura a semiconduttore in ossido di metallo (DMOS) a doppia diffusione verticale insieme a un collaudato processo di fabbricazione del gate in silicio. Questa combinazione assicura che il dispositivo sia privo di guasti secondari e funzioni con un requisito di azionamento a bassa potenza, il che lo rende efficiente e affidabile per varie applicazioni.

Facilità di collegamento in parallelo

Basso requisito di potenza di azionamento

Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno

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