MOSFET singoli Microchip, canale N 60 V Miglioramento, 600 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante VN2106N3-G
- Codice RS:
- 598-580
- Codice costruttore:
- VN2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 2000 unità, in un sacchetto da 2000*
928,00 €
(IVA esclusa)
1132,00 €
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Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,464 € | 928,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-580
- Codice costruttore:
- VN2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 600mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Serie | VN2106 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.82poll | |
| Lunghezza | 0.205poll | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 0.165poll | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 600mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Serie VN2106 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.82poll | ||
Lunghezza 0.205poll | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 0.165poll | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor verticale a modalità di potenziamento del canale N Microchip utilizza una struttura a semiconduttore in ossido di metallo (DMOS) a doppia diffusione verticale insieme a un collaudato processo di fabbricazione del gate in silicio. Questa combinazione assicura che il dispositivo sia privo di guasti secondari e funzioni con un requisito di azionamento a bassa potenza, il che lo rende efficiente e affidabile per varie applicazioni.
Facilità di collegamento in parallelo
Basso requisito di potenza di azionamento
Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno