8 Array MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 114 mΩ, 30 A 1200 V, ACEPACK DMT-32, Foro passante Miglioramento, 32
- Codice RS:
- 640-674
- Codice costruttore:
- M2TP80M12W2-2LA
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 640-674
- Codice costruttore:
- M2TP80M12W2-2LA
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Array MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | ACEPACK DMT-32 | |
| Serie | M2TP80M12W2 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 32 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 114mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.10V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AQG 324 | |
| Larghezza | 27.90 mm | |
| Altezza | 5.90mm | |
| Lunghezza | 44.50mm | |
| Numero elementi per chip | 8 | |
| Standard automobilistico | AEC | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Array MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package ACEPACK DMT-32 | ||
Serie M2TP80M12W2 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 32 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 114mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 63nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Tensione diretta Vf 1.10V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AQG 324 | ||
Larghezza 27.90 mm | ||
Altezza 5.90mm | ||
Lunghezza 44.50mm | ||
Numero elementi per chip 8 | ||
Standard automobilistico AEC | ||
- Paese di origine:
- CN
Modulo di alimentazione ad alta efficienza per autoveicoli di STMicroelectronics in pacchetto ACEPACK DMT-32. Implementa una topologia di correzione del fattore di potenza (PFC) trifase a quattro fili utilizzando sei MOSFET in carburo di silicio (SiC) di seconda generazione e due diodi raddrizzatori. Progettato per lo stadio PFC dei caricabatterie di bordo (OBC) dei veicoli elettrici e ibridi, offre una soluzione compatta e termicamente ottimizzata con rilevamento della temperatura integrato.
MOSFET a 1200 V in carburo di silicio con RDS(on) tipica di 84 mΩ
Implementa una topologia di correzione del fattore di potenza (PFC) trifase a quattro fili
Include diodi raddrizzatori da 1200 V / 20 A
Termistore NTC integrato per il monitoraggio della temperatura in tempo reale
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