MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 150 V, 27 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-263AB, Superficie RJ1R04BBHTL1
- Codice RS:
- 646-551P
- Codice costruttore:
- RJ1R04BBHTL1
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 646-551P
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- RJ1R04BBHTL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | TO-263AB | |
| Serie | RJ1 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 27mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 89W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 4.77mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 15.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package TO-263AB | ||
Serie RJ1 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 27mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 89W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 4.77mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 15.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido di metallo ROHM su canale N con potenza di 150 volt e 40 ampere è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione, da un tipo di package ad alta potenza TO-263AB, da una placcatura priva di piombo e dalla conformità alle restrizioni sulle sostanze pericolose.
Senza alogeni
Testato al 100% per Rg e UIS