MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 30 V, 120 mΩ Miglioramento, 3 Pin, MPT3, Superficie
- Codice RS:
- 646-552P
- Codice costruttore:
- R4P030N03HZGT100
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 646-552P
- Codice costruttore:
- R4P030N03HZGT100
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | MPT3 | |
| Serie | R4P | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 120mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Lunghezza | 4.30mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package MPT3 | ||
Serie R4P | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.6mm | ||
Lunghezza 4.30mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor a effetto campo in ossido di metallo a canale N con azionamento da 4 volt ROHM è caratterizzato da una bassa resistenza di accensione e supporta il funzionamento con azionamento da 4 volt.
Certificato AEC-Q101