2 Array MOSFET ROHM, canale N, 60 mΩ, 12.5 A 100 V, HSMT-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 646-615P
- Codice costruttore:
- HT8KE6HTB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
70,90 €
(IVA esclusa)
86,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 490 | 0,709 € |
| 500 - 990 | 0,636 € |
| 1000 + | 0,503 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 646-615P
- Codice costruttore:
- HT8KE6HTB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | Array MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Serie | HT8KE6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 14W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Halogen Free, Pb Free | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto Array MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Serie HT8KE6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 14W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Halogen Free, Pb Free | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM con bassa resistenza all'accensione e piccolo contenitore a stampo ad alta potenza adatto per le applicazioni di commutazione e azionamento dei motori.
Placcatura senza Pb
Conforme alla direttiva RoHS
Senza alogeni
100% Rg e UIS testato