MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P 60 V, 3 mΩ Miglioramento, 48 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 646-616P
- Codice costruttore:
- AG502ELD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 50 unità (fornito in una striscia continua)*
93,80 €
(IVA esclusa)
114,45 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 95 unità in spedizione dal 10 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 245 | 1,876 € |
| 250 - 495 | 1,684 € |
| 500 + | 1,33 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 646-616P
- Codice costruttore:
- AG502ELD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 48A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | AG502EL | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 77W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pd-free plating, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 48A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie AG502EL | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 77W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pd-free plating, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di grado automobilistico ROHM è certificato AEC-Q101. Ideale per i sistemi automobilistici. Questi MOSFET sono testati al 100% contro le avalanche.
Bassa resistenza in stato attivo
Placcatura senza Pd
Conforme alla direttiva RoHS