MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -40 V, 13.1 mΩ Miglioramento, 68 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 646-617P
- Codice costruttore:
- AG502EGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 646-617P
- Codice costruttore:
- AG502EGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 68A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | AG502EG | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 77W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48.0nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 68A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie AG502EG | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 77W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48.0nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di grado automobilistico ROHM è certificato AEC-Q101. Ideale per i sistemi automobilistici. Questi MOSFET sono testati al 100% contro le avalanche.
Bassa resistenza in stato attivo
Placcatura senza Pd
Conforme alla direttiva RoHS