MOSFET singoli onsemi, canale N 40 V, 4.9 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, WDFN8, Superficie
- Codice RS:
- 648-506P
- Codice costruttore:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
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| 2000 + | 0,22 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 648-506P
- Codice costruttore:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 65A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | WDFN8 | |
| Serie | NTT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 38W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 3.3mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 65A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package WDFN8 | ||
Serie NTT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 38W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 3.3mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
La più recente tecnologia MOSFET di potenza a livello di gate standard da 40 V di ON Semiconductor con la migliore resistenza on-class per le applicazioni di driver per motori. Una minore resistenza di accensione e una minore carica di gate possono ridurre la perdita di conduzione e la perdita di pilotaggio. Il buon controllo della morbidezza per il recupero inverso del diodo corpo può ridurre lo stress da picco di tensione senza un circuito snubber aggiuntivo nell'applicazione.
Basso valore di RDS(on)
Bassa capacità
Piccolo ingombro di 3,3 x 3,3 mm