MOSFET singoli onsemi, canale N 40 V, 4.7 mΩ Miglioramento, 66 A, 5 Pin, DFN-5, Superficie
- Codice RS:
- 648-508P
- Codice costruttore:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|---|
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- Codice RS:
- 648-508P
- Codice costruttore:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 66A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFN-5 | |
| Serie | NVM | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 38W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 66A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFN-5 | ||
Serie NVM | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 38W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY