MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 195 A, 5 Pin, DFNW-5, Superficie
- Codice RS:
- 648-511P
- Codice costruttore:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 648-511P
- Codice costruttore:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 195A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | DFNW-5 | |
| Serie | NVM | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 90W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 4.9mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 195A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package DFNW-5 | ||
Serie NVM | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 90W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38.6nC | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 4.9mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di potenza per uso automobilistico ON Semiconductor in un contenitore con cavo piatto da 5 x 6 mm progettato per progetti compatti ed efficienti e che include elevate prestazioni termiche. Opzione a fianco umidificabile disponibile per un'ispezione ottica migliorata. MOSFET qualificato AEC-Q101 e capace di PPAP adatto per applicazioni automobilistiche.
Piccolo ingombro
Basso valore di RDS(on)
Bassa QG e capacità
Opzione a fianco umidificabile
Soluzione conforme alla direttiva RoHS