MOSFET singoli onsemi, canale N 1200 V, 515 mΩ Miglioramento, 7.6 A, 3 Pin, TO-247-3, Foro passante
- Codice RS:
- 648-529P
- Codice costruttore:
- UF3C120400K3S
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 648-529P
- Codice costruttore:
- UF3C120400K3S
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-247-3 | |
| Serie | UF3 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 515mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.03mm | |
| Lunghezza | 20.96mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, Pb-Free | |
| Larghezza | 15.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-247-3 | ||
Serie UF3 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 515mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 27nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.03mm | ||
Lunghezza 20.96mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, Pb-Free | ||
Larghezza 15.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CH
I JFET Cascode EliteSiC di ON Semiconductor combinano un JFET SiC normalmente acceso con un MOSFET Si per creare un dispositivo normalmente spento in una configurazione di circuito cascode, offrendo prestazioni di commutazione e affidabilità superiori. I vantaggi includono un'elevata efficienza, una frequenza più rapida, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e dimensioni ridotte del sistema. Questi dispositivi supportano i driver gate standard, semplificando la sostituzione di IGBT Si e dispositivi di super-giunzione. Ideale per la commutazione di carichi induttivi.
Resistenza on RDS(on)
Temperatura d'esercizio massima di 175 °C
Eccellente recupero inverso
Bassa carica del gate