MOSFET singoli Microchip, canale Tipo N 250 V, 6 Ω Depletion, 360 mA, 3 Pin, SOT-89, Superficie DN3525N8-G
- Codice RS:
- 649-455P
- Codice costruttore:
- DN3525N8-G
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 649-455P
- Codice costruttore:
- DN3525N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 360mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | SOT-89 | |
| Serie | DN3525 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.6W | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 360mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package SOT-89 | ||
Serie DN3525 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.6W | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor Microchip (normalmente attivo) a bassa soglia in modalità di esaurimento utilizza un'avanzata struttura DMOS verticale e un collaudato processo di produzione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS.
Impedenza di ingresso elevata
Bassa capacità di ingresso
Velocità di commutazione rapide
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa perdita in ingresso e in uscita