MOSFET singoli Microchip, canale Tipo P 80 V, 5 Ω Miglioramento, 280 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante VP0808L-G
- Codice RS:
- 649-535
- Codice costruttore:
- VP0808L-G
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 649-535
- Codice costruttore:
- VP0808L-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 280mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Serie | VP0808 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 0.50mm | |
| Larghezza | 0.080 mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 280mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Serie VP0808 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 0.50mm | ||
Larghezza 0.080 mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor con modalità di potenziamento (normalmente spento) di Microchip utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di produzione con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Privo di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Bassa CISS e rapida velocità di commutazione
Eccellente stabilità termica
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno