MOSFET singoli Vishay, canale N 60 V, 0.042 Ω Miglioramento, 7 A, 6 Pin, TSOP-6, Montaggio su circuito stampato
- Codice RS:
- 653-062
- Codice costruttore:
- SQ3426CEEV-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità, su un nastro da 1*
0,42 €
(IVA esclusa)
0,51 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 2727 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i | Per Nastro |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,42 € |
| 25 - 99 | 0,37 € |
| 100 - 499 | 0,35 € |
| 500 - 999 | 0,29 € |
| 1000 + | 0,27 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 653-062
- Codice costruttore:
- SQ3426CEEV-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | SQ3426CEEV | |
| Tipo di package | TSOP-6 | |
| Tipo montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.042Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 3.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 2.98mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie SQ3426CEEV | ||
Tipo di package TSOP-6 | ||
Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.042Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 3.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 2.98mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET singoli serie SQ3426CEEV di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 60 V, corrente di drenaggio continua massima di 7 A - SQ3426CEEV-T1_GE3
Questo dispositivo MOSFET singolo è un interruttore di potenziamento a canale N progettato per il controllo della potenza su schede a circuito stampato in ambienti automobilistici e industriali. Gestisce le attività di commutazione a tensioni e correnti moderate mentre funziona in un'ampia gamma di temperature, il che lo rende adatto per le applicazioni che richiedono transistor di potenza compatti e montati su circuito stampato conformi alle norme di produzione industriali.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione di drenaggio di 60 V consente la capacità di commutazione a media tensione
• La corrente di drenaggio continua di 7 A supporta correnti di carico sostanziali
• RDS(on) di 0,042 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione durante lo stato di accensione
• La dissipazione di potenza di 5 W consente una gestione termica costante sul circuito stampato
• La carica tipica del gate di 19,5 nC riduce le perdite di energia di commutazione
• Temperatura d'esercizio massima di 175 °C per l'uso ad alta temperatura
• La corrente di drenaggio continua di 7 A supporta correnti di carico sostanziali
• RDS(on) di 0,042 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione durante lo stato di accensione
• La dissipazione di potenza di 5 W consente una gestione termica costante sul circuito stampato
• La carica tipica del gate di 19,5 nC riduce le perdite di energia di commutazione
• Temperatura d'esercizio massima di 175 °C per l'uso ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per le fasi di azionamento del motore CC nelle apparecchiature di automazione
• Ideale per la commutazione del carico nell'elettronica dei veicoli conforme a AEC‐Q101
• Utilizzato per la gestione dell'alimentazione nei moduli di controllo industriali
• Può essere utilizzato per guide di alimentazione commutate in dispositivi di consumo compatti
• Ideale per la commutazione del carico nell'elettronica dei veicoli conforme a AEC‐Q101
• Utilizzato per la gestione dell'alimentazione nei moduli di controllo industriali
• Può essere utilizzato per guide di alimentazione commutate in dispositivi di consumo compatti
Quale stile di montaggio è richiesto per l'integrazione?
È progettato per il montaggio su circuito stampato in un contenitore TSOP‐6 con sei pin per adattarsi ai layout standard a montaggio superficiale.
Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?
La tensione gate‐to‐source non deve superare ±20 V durante il funzionamento per evitare lo stress del dispositivo.
In che modo la tolleranza termica influisce sulla strategia di raffreddamento?
Con una temperatura d'esercizio massima di 175 °C e una dissipazione di 5 W, i progettisti devono fornire un'adeguata area di rame per circuito stampato o dissipatore di calore per mantenere le temperature di giunzione entro limiti sicuri.
Quali sono le considerazioni ambientali o di omologazione applicabili?
Il dispositivo è conforme ai requisiti RoHS ed è prodotto secondo lo standard automobilistico AEC‐Q101 per l'uso in progetti automobilistici regolati.
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.042 Ω Miglioramento 6 Pin Montaggio su circuito stampato
- MOSFET Vishay 0.063 Ω Miglioramento 6 Pin Superficie SQ3426CEEV-T1_BE3
- MOSFET Vishay 0.092 Ω Miglioramento 6 Pin Superficie SQ3426CEV-T1_GE3
- MOSFET singoli Vishay 0.043 Ω Miglioramento 6 Pin Montaggio su circuito stampato
- MOSFET singoli Vishay 0.092 Ω Miglioramento 6 Pin Montaggio su circuito stampato
- MOSFET Vishay 0.178 Ω Miglioramento 6 Pin Superficie SQ3427CEEV-T1_GE3
- MOSFET Vishay 0.054 Ω Miglioramento 6 Pin Superficie SQ3456CEV-T1_GE3
- MOSFET Vishay 78 mΩ Miglioramento 6 Pin Superficie SQ3419EV-T1_GE3