MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00683 Ω Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIRA18DDP-T1-GE3

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Codice RS:
653-181
Codice costruttore:
SIRA18DDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIRA18DDP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00683Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

17W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.15 mm

Altezza

1.04mm

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il MOSFET a canale N Vishay è ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 30 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un RDS(on) ultrabasso, una commutazione rapida e prestazioni termiche eccellenti.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS