MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -40 V, 4.9 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie
- Codice RS:
- 687-359P
- Codice costruttore:
- AG501EGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-359P
- Codice costruttore:
- AG501EGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG501EGD3HRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 145nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 142W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Larghezza | 6.8mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie AG501EGD3HRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 145nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 142W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Larghezza 6.8mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per una gestione efficiente dell'energia nei sistemi automobilistici e in varie applicazioni. Dotato di una tensione massima drain-source di -40 V e di una capacità di corrente di drenaggio continua fino a -80 A, questo robusto dispositivo offre un'eccezionale affidabilità in condizioni operative difficili. Con una bassa resistenza di accensione di soli 4,9 mΩ, garantisce una perdita di energia minima, contribuendo a migliorare l'efficienza complessiva del sistema e le prestazioni termiche. Questo MOSFET è inoltre certificato AEC-Q101, che ne evidenzia l'idoneità per le applicazioni automobilistiche in cui è necessario soddisfare standard rigorosi.
Offre una bassa resistenza di accensione per ridurre la perdita di potenza e migliorare l'efficienza
Certificazione AEC Q101, che garantisce l'affidabilità per applicazioni automobilistiche e critiche
Testato a valanga per garantire prestazioni in condizioni dinamiche
Supporta una dissipazione di potenza massima di 142 W, compatibile con progetti ad alte prestazioni
L'ampio intervallo di temperature di esercizio, da -55 °C a 175 °C, consente l'utilizzo in ambienti diversi
Placcatura senza piombo e conforme alla direttiva RoHS, soddisfa i moderni standard ambientali
Specifiche di imballaggio ottimizzate, comprese le opzioni di incorporamento per l'assemblaggio automatizzato
Fornisce un valore nominale di energia a valanga garantito, garantendo un funzionamento robusto durante gli eventi transitori