MOSFET singoli ROHM, canale Doppio N 150 V, 62 mΩ Miglioramento, 8 Pin, HSOP-8, Superficie HP8KF7HTB1

Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per gestire in modo efficiente la potenza in varie applicazioni elettroniche. Con una bassa resistenza in stato attivo di 62 mΩ e un pacchetto HSOP8 compatto, questo MOSFET garantisce una gestione termica superiore e un'elevata affidabilità. Le sue specifiche supportano una corrente di drenaggio continua di ±18,5 A, che lo rende ideale per attività impegnative come gli azionamenti dei motori. Grazie all'eccellente efficienza energetica e alla conformità agli standard RoHS e senza alogeni, si integra perfettamente nei progetti elettronici avanzati, garantendo al contempo la responsabilità ambientale.

Ottimizzato per una bassa resistenza in stato attivo, per migliorare l'efficienza complessiva