MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 800 V, 0.265 Ω Miglioramento, 3 Pin, TO-247, Superficie R8019KNZ4C13
- Codice RS:
- 687-367
- Codice costruttore:
- R8019KNZ4C13
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 sacchetto da 2 unità*
11,45 €
(IVA esclusa)
13,968 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 21 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,725 € | 11,45 € |
| 20 - 98 | 5,04 € | 10,08 € |
| 100 - 198 | 4,525 € | 9,05 € |
| 200 + | 3,56 € | 7,12 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-367
- Codice costruttore:
- R8019KNZ4C13
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | R8019KNZ4 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.265Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 65nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 40mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.22mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie R8019KNZ4 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.265Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 65nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 40mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.22mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N ROHM è progettato per prestazioni ad alta efficienza nelle applicazioni elettroniche. Dotato di una tensione massima Drain-Source di 800 V e di una corrente di drenaggio continua di 19 A, questo dispositivo gestisce efficacemente carichi di potenza significativi mantenendo una bassa resistenza in stato attivo. Progettato con funzionalità di commutazione avanzate, offre tempi di risposta rapidi essenziali per un funzionamento efficiente del circuito. L'incapsulamento in un contenitore TO-247G garantisce un montaggio semplice e prestazioni termiche eccellenti, rendendolo ideale per la gestione dell'alimentazione in tutto, dai sistemi industriali all'elettronica di consumo.
Bassa resistenza di accensione di soli 0,265 Ω, che migliora l'efficienza energetica
Corrente di drenaggio continua di ±19 A, che consente una notevole gestione della potenza
Le prestazioni di commutazione rapida ottimizzano il funzionamento dei circuiti dinamici
La placcatura senza piombo garantisce la conformità agli standard ambientali
I robusti valori di resistenza a valanga supportano un funzionamento affidabile in condizioni transitorie
Ideale per l'uso in parallelo, semplificando le configurazioni di più dispositivi.
Link consigliati
- MOSFET ROHM 0.265 Ω Miglioramento 3 Pin Foro passante R8019KNXC7G
- MOSFET singoli ROHM 0.45 Ω Miglioramento TO-247, Superficie R8011KNZ4C13
- MOSFET ROHM 81 A TO-247, Superficie
- MOSFET ROHM 105 A TO-247, Superficie
- MOSFET ROHM 81 A TO-247, Superficie SCT4018KEC11
- MOSFET ROHM 105 A TO-247, Superficie SCT4013DEC11
- MOSFET ROHM 55 A TO-247, Foro passante
- MOSFET ROHM 70 A TO-247, Foro passante