MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 800 V, 0.265 Ω Miglioramento, 3 Pin, TO-247, Superficie R8019KNZ4C13
- Codice RS:
- 687-367
- Codice costruttore:
- R8019KNZ4C13
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,725 € | 11,45 € |
| 20 - 98 | 5,04 € | 10,08 € |
| 100 - 198 | 4,525 € | 9,05 € |
| 200 + | 3,56 € | 7,12 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-367
- Codice costruttore:
- R8019KNZ4C13
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | R8019KNZ4 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.265Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 65nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.22mm | |
| Lunghezza | 40mm | |
| Larghezza | 16.24 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie R8019KNZ4 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.265Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 65nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.22mm | ||
Lunghezza 40mm | ||
Larghezza 16.24 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N ROHM è progettato per prestazioni ad alta efficienza nelle applicazioni elettroniche. Dotato di una tensione massima Drain-Source di 800 V e di una corrente di drenaggio continua di 19 A, questo dispositivo gestisce efficacemente carichi di potenza significativi mantenendo una bassa resistenza in stato attivo. Progettato con funzionalità di commutazione avanzate, offre tempi di risposta rapidi essenziali per un funzionamento efficiente del circuito. L'incapsulamento in un contenitore TO-247G garantisce un montaggio semplice e prestazioni termiche eccellenti, rendendolo ideale per la gestione dell'alimentazione in tutto, dai sistemi industriali all'elettronica di consumo.
Bassa resistenza di accensione di soli 0,265 Ω, che migliora l'efficienza energetica
Corrente di drenaggio continua di ±19 A, che consente una notevole gestione della potenza
Le prestazioni di commutazione rapida ottimizzano il funzionamento dei circuiti dinamici
La placcatura senza piombo garantisce la conformità agli standard ambientali
I robusti valori di resistenza a valanga supportano un funzionamento affidabile in condizioni transitorie
Ideale per l'uso in parallelo, semplificando le configurazioni di più dispositivi.