MOSFET singoli ROHM, canale N 800 V, 0.265 Ω Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-247, Superficie R8019KNZ4C13

Il MOSFET a canale N ROHM è progettato per prestazioni ad alta efficienza nelle applicazioni elettroniche. Dotato di una tensione massima Drain-Source di 800 V e di una corrente di drenaggio continua di 19 A, questo dispositivo gestisce efficacemente carichi di potenza significativi mantenendo una bassa resistenza in stato attivo. Progettato con funzionalità di commutazione avanzate, offre tempi di risposta rapidi essenziali per un funzionamento efficiente del circuito. L'incapsulamento in un contenitore TO-247G garantisce un montaggio semplice e prestazioni termiche eccellenti, rendendolo ideale per la gestione dell'alimentazione in tutto, dai sistemi industriali all'elettronica di consumo.

Bassa resistenza di accensione di soli 0,265 Ω, che migliora l'efficienza energetica