MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 800 V, 0.265 Ω Miglioramento, 3 Pin, TO-247, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
687-367P
Codice costruttore:
R8019KNZ4C13
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

R8019KNZ4

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.265Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

40mm

Altezza

5.22mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N ROHM è progettato per prestazioni ad alta efficienza nelle applicazioni elettroniche. Dotato di una tensione massima Drain-Source di 800 V e di una corrente di drenaggio continua di 19 A, questo dispositivo gestisce efficacemente carichi di potenza significativi mantenendo una bassa resistenza in stato attivo. Progettato con funzionalità di commutazione avanzate, offre tempi di risposta rapidi essenziali per un funzionamento efficiente del circuito. L'incapsulamento in un contenitore TO-247G garantisce un montaggio semplice e prestazioni termiche eccellenti, rendendolo ideale per la gestione dell'alimentazione in tutto, dai sistemi industriali all'elettronica di consumo.

Bassa resistenza di accensione di soli 0,265 Ω, che migliora l'efficienza energetica

Corrente di drenaggio continua di ±19 A, che consente una notevole gestione della potenza

Le prestazioni di commutazione rapida ottimizzano il funzionamento dei circuiti dinamici

La placcatura senza piombo garantisce la conformità agli standard ambientali

I robusti valori di resistenza a valanga supportano un funzionamento affidabile in condizioni transitorie

Ideale per l'uso in parallelo, semplificando le configurazioni di più dispositivi.

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