MOSFET singoli ROHM, canale N -40 V, 7.0 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie AG087FGD3HRBTL
- Codice RS:
- 687-378P
- Codice costruttore:
- AG087FGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- 687-378P
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- AG087FGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Serie | AG087FGD3HRB | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.0mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 53W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, AEC-Q101 | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Larghezza | 6.8mm | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Serie AG087FGD3HRB | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.0mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 53W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS, AEC-Q101 | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Larghezza 6.8mm | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni automobilistiche e industriali. Questo versatile componente funziona con una tensione massima drain-source di 40 V, consentendo un controllo efficiente nei sistemi di gestione dell'alimentazione. Realizzato con una tecnologia avanzata, vanta una bassa resistenza in stato attivo di 7,0 mΩ, che ottimizza l'efficienza energetica e le prestazioni termiche. Con certificazione AEC-Q101, questo MOSFET è affidabile anche in ambienti automobilistici rigorosi, il che lo rende una buona scelta per gli ingegneri che cercano soluzioni durevoli. La robusta resistenza termica e il design testato a valanga garantiscono un'eccezionale affidabilità in diverse condizioni operative, consolidando il suo status di opzione ideale per le applicazioni ad alta corrente.
Corrente di drenaggio continua nominale di ±40 A, per prestazioni affidabili in scenari difficili
La tensione di rottura di 40 V garantisce una robusta protezione contro le condizioni di sovratensione
Bassa tensione di soglia gate da 1,0 V a 2,5 V per un funzionamento e un controllo più fluidi
Conforme alla norma AEC Q101, che ne evidenzia l'idoneità per le applicazioni automobilistiche
L'eccezionale resistenza termica, pari a 2,80 °C/W, migliora la dissipazione del calore e la durata di vita
Testato al 100% a valanga, garantisce la massima tranquillità in ambienti ad alto stress
Il contenitore DPAK ottimizza l'ingombro e supporta un'efficace gestione termica
Prodotto adatto per progetti ad alta efficienza nel settore automobilistico e in altre applicazioni ad alta corrente