MOSFET singoli ROHM, canale N 100 V, 58 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, HSMT-8AG, Superficie
- Codice RS:
- 687-380P
- Codice costruttore:
- RQ3P120BKFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-380P
- Codice costruttore:
- RQ3P120BKFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | HSMT-8AG | |
| Serie | RQ3P120BKFRA | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 58mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Larghezza | 300mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package HSMT-8AG | ||
Serie RQ3P120BKFRA | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 58mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Larghezza 300mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per una gestione efficiente dell'energia in varie applicazioni. In grado di resistere a tensioni drain-source fino a 100 V e a correnti nominali continue di ±12 A, questo MOSFET eccelle sia per densità di potenza che per resistenza termica. Il pacchetto compatto HSMT8AG riduce significativamente i requisiti di spazio sul circuito stampato del 64%, rendendolo la scelta ideale per i moderni progetti elettronici che richiedono affidabilità ed efficienza. Grazie alla qualifica AEC-Q101, garantisce un funzionamento robusto nelle applicazioni automobilistiche, servendo un'ampia gamma di casi d'uso, dall'ADAS alle soluzioni di illuminazione.
Il piccolo pacchetto ad alta potenza ottimizza lo spazio sui circuiti stampati del 64%
Elevata affidabilità di montaggio grazie all'innovativo trattamento dei terminali e della placcatura
La qualifica AEC Q101 garantisce l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche
Prodotto progettato per gestire una dissipazione di potenza massima di 40 W per un'efficace gestione termica
La bassa resistenza in stato attivo di 58 mΩ migliora l'efficienza e le prestazioni
La robusta tolleranza di tensione gate-sorgente di ±20 V espande le possibilità di integrazione
La corrente nominale a valanga di 8 A e la dissipazione di energia di 5,2 mJ forniscono una protezione aggiuntiva durante il funzionamento
Funzionamento estremamente affidabile in un intervallo di temperatura compreso tra -55 e +150 °C