MOSFET singoli ROHM, canale Doppio N 80 V, 165 mΩ Miglioramento, 9 A, 8 Pin, HSMT-8, Superficie
- Codice RS:
- 687-385P
- Codice costruttore:
- HT8MD5HTB1
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 20 unità, fornito in una striscia continua*
31,90 €
(IVA esclusa)
38,92 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 200 unità in spedizione dal 28 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 48 | 1,595 € |
| 50 - 198 | 1,43 € |
| 200 - 998 | 1,155 € |
| 1000 + | 1,12 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-385P
- Codice costruttore:
- HT8MD5HTB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | HT8MD5HT | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 165mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 13.0W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.45mm | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie HT8MD5HT | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 165mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 13.0W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.45mm | ||
Altezza 0.8mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni elettroniche versatili. Grazie al doppio canale N e alla configurazione a canale P, questo componente offre prestazioni eccezionali, consentendo un'efficace gestione dell'alimentazione negli azionamenti dei motori e in altri circuiti esigenti. Caratteristiche come la bassa resistenza in stato attivo garantiscono una perdita di potenza minima durante il funzionamento, mentre il contenitore HSMT8 consente un ingombro ridotto senza compromettere le prestazioni. L'HT8MD5H supporta un'ampia gamma di tensioni ed è conforme agli standard RoHS e senza alogeni, il che lo rende una scelta ideale per progetti attenti all'ambiente. Realizzato all'insegna dell'affidabilità, questo MOSFET è adatto a varie applicazioni che richiedono prestazioni robuste in condizioni diverse.
Il design a bassa resistenza migliora l'efficienza nelle applicazioni di potenza
Le elevate capacità di potenza in un pacchetto HSMT8 compatto semplificano l'integrazione
La struttura conforme alla direttiva RoHS e priva di alogeni favorisce la progettazione ecologica
Testato al 100% Rg e UIS per garantire l'affidabilità in condizioni operative difficili
Ottimizzato per le applicazioni di azionamento del motore, per garantire un controllo efficace della potenza
L'ampia gamma di tensioni garantisce la versatilità in vari ambienti elettronici
Prodotto progettato per resistere a temperature massime di giunzione fino a 150 °C