MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N, Tipo P 40 V, 44 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, HSMT-8, Superficie HT8MB5TB1

Codice RS:: 687-388
Codice costruttore:: HT8MB5TB1
Costruttore:: ROHM

MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N, Tipo P 40 V, 44 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, HSMT-8, Superficie HT8MB5TB1

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Codice RS:: 687-388
Codice costruttore:: HT8MB5TB1
Costruttore:: ROHM

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	ROHM
	Tipo di canale	Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id	12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	HT8MB5
	Tipo di package	HSMT-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	44mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	13W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.45mm
	Larghezza	3.4mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	800μm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio ROHM
	Tipo di canale Tipo N, Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id 12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie HT8MB5
	Tipo di package HSMT-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 44mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 13W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.45mm
	Larghezza 3.4mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 800μm
	Standard automobilistico No

Datasheet - HT8MB5TB1

Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per applicazioni complesse come gli azionamenti dei motori e gli alimentatori switching. Questo componente è caratterizzato da una resistenza in stato attivo eccezionalmente bassa, che lo rende ideale per le soluzioni di gestione dell'alimentazione in cui l'efficienza è fondamentale. L'HT8MB5 è alloggiato in un pacchetto HSMT8 compatto, che consente di realizzare progetti salvaspazio mantenendo prestazioni elevate. Con valori nominali massimi impressionanti e un design robusto, questo MOSFET garantisce un funzionamento affidabile in condizioni ambientali variabili, garantendo stabilità e longevità nelle sue operazioni.

La bassa resistenza di accensione migliora l'efficienza e la gestione termica

Il contenitore compatto HSMT8 consente di ridurre l'ingombro nei progetti

La tensione drain-source di 40 V garantisce la versatilità delle applicazioni

La capacità di dissipazione di potenza di 13 W supporta le applicazioni ad alta potenza

La placcatura senza piombo e la conformità alla direttiva RoHS dimostrano il rispetto dell'ambiente

I materiali privi di alogeni promuovono la sicurezza nelle applicazioni elettroniche

Testato al 100% per Rg e UIS, per garantire affidabilità e prestazioni

Adatto sia per le applicazioni di commutazione che per quelle di azionamento del motore, per una maggiore usabilità

MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N, Tipo P 40 V, 44 mΩ Miglioramento, 12 A, 8 Pin, HSMT-8, Superficie HT8MB5TB1

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