MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N, Tipo P 40 V, 44 mΩ Miglioramento, 8 Pin, HSMT-8, Superficie HT8MB5TB1
- Codice RS:
- 687-388
- Codice costruttore:
- HT8MB5TB1
- Costruttore:
- ROHM
Prezzo per 1 nastro da 2 unità*
1,21 €
(IVA esclusa)
1,476 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 2 + | 0,605 € | 1,21 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-388
- Codice costruttore:
- HT8MB5TB1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | HT8MB5 | |
| Tipo di package | HSMT-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 44mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 13W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.45mm | |
| Larghezza | 3.4 mm | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie HT8MB5 | ||
Tipo di package HSMT-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 44mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 13W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.45mm | ||
Larghezza 3.4 mm | ||
Altezza 0.8mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per applicazioni complesse come gli azionamenti dei motori e gli alimentatori switching. Questo componente è caratterizzato da una resistenza in stato attivo eccezionalmente bassa, che lo rende ideale per le soluzioni di gestione dell'alimentazione in cui l'efficienza è fondamentale. L'HT8MB5 è alloggiato in un pacchetto HSMT8 compatto, che consente di realizzare progetti salvaspazio mantenendo prestazioni elevate. Con valori nominali massimi impressionanti e un design robusto, questo MOSFET garantisce un funzionamento affidabile in condizioni ambientali variabili, garantendo stabilità e longevità nelle sue operazioni.
La bassa resistenza di accensione migliora l'efficienza e la gestione termica
Il contenitore compatto HSMT8 consente di ridurre l'ingombro nei progetti
La tensione drain-source di 40 V garantisce la versatilità delle applicazioni
La capacità di dissipazione di potenza di 13 W supporta le applicazioni ad alta potenza
La placcatura senza piombo e la conformità alla direttiva RoHS dimostrano il rispetto dell'ambiente
I materiali privi di alogeni promuovono la sicurezza nelle applicazioni elettroniche
Testato al 100% per Rg e UIS, per garantire affidabilità e prestazioni
Adatto sia per le applicazioni di commutazione che per quelle di azionamento del motore, per una maggiore usabilità
Link consigliati
- MOSFET singoli ROHM Tipo N 60 V 8 Pin Superficie HT8MC5TB1
- MOSFET ROHM 48 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RQ3G120BJFRATCB
- MOSFET ROHM 22.0 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RQ3G270BJFRATCB
- MOSFET ROHM 106 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RQ3L120BJFRATCB
- MOSFET singoli ROHM 47 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie RQ3L270BJFRATCB
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento HSMT-8
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento HSMT-8 RH6P040BHTB1
- MOSFET ROHM 2.7 mΩ Miglioramento HSMT-8 RH6G040BGTB1
