MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 60 V, 5.3 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie
- Codice RS:
- 687-440P
- Codice costruttore:
- RD3L08CBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 20 unità (fornito in una striscia continua)*
21,70 €
(IVA esclusa)
26,48 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 01 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 48 | 1,085 € |
| 50 - 198 | 0,97 € |
| 200 - 998 | 0,785 € |
| 1000 + | 0,77 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-440P
- Codice costruttore:
- RD3L08CBLHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | RD3L08CBLHRB | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, AEC-Q101 | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie RD3L08CBLHRB | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, AEC-Q101 | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per le applicazioni più esigenti e offre un'eccellente efficienza e affidabilità. Con una tensione massima drain-source di 60 V e una corrente di drenaggio continua di 80 A, questo dispositivo è ideale per le attività di commutazione e amplificazione nell'elettronica automobilistica e di consumo. La sua bassa resistenza di accensione di soli 5,3 mΩ massimizza l'efficienza energetica, mentre la sua struttura robusta assicura di resistere agli ambienti operativi più difficili, soddisfacendo le qualifiche AEC-Q101 e fornendo un test a valanga al 100% per una maggiore sicurezza. Questo MOSFET rappresenta una soluzione potente per circuiti avanzati, che unisce prestazioni e rigorosi standard di conformità.
La bassa resistenza di accensione di 5,3 mΩ migliora significativamente l'efficienza energetica
Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 80 A per prestazioni robuste in applicazioni complesse
Testato a valanga al 100% per garantire stabilità e affidabilità durante il funzionamento
Certificazione AEC Q101, che lo rende adatto per applicazioni automobilistiche
L'ampia gamma di temperature di giunzione, da -55 °C a +175 °C, garantisce prestazioni affidabili in varie condizioni
La resistenza termica integrata del contenitore di derivazione ottimizza le capacità di gestione della potenza
Senza Pb e conforme alla direttiva RoHS, in linea con i moderni standard ambientali.