MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -40 V, 11.9 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, DFN3333T8LSAB, Superficie
- Codice RS:
- 687-447P
- Codice costruttore:
- RH7G04BBJFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-447P
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- RH7G04BBJFRATCB
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -40V | |
| Tipo di package | DFN3333T8LSAB | |
| Serie | RH7G04BBJFRAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.9mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 3.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V | ||
Tipo di package DFN3333T8LSAB | ||
Serie RH7G04BBJFRAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.9mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 3.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per garantire prestazioni robuste in applicazioni complesse, offrendo un'efficienza e un'affidabilità eccezionali. Con una tensione massima drain-source di -40 V e capacità di corrente di drenaggio continua fino a 40 A, questo componente eccelle nella gestione dell'alimentazione. La bassa resistenza in stato attivo di soli 11,9 mΩ migliora l'efficienza energetica, rendendolo una scelta ideale per i sistemi automobilistici e industriali. Progettato per resistere a temperature comprese tra -55 e 175 °C, questo MOSFET garantisce durata e stabilità in un'ampia gamma di condizioni, mentre la qualifica AEC-Q101 ne segnala l'idoneità agli ambienti automobilistici, contribuendo a migliorare la sicurezza e l'efficacia del dispositivo.
Certificazione AEC Q101 per applicazioni automobilistiche affidabili
Testato a valanga al 100% per una maggiore sicurezza in condizioni estreme
Contenitore di giunzione a bassa resistenza termica, che favorisce un'efficiente dissipazione del calore
L'ampia gamma di temperature d'esercizio garantisce la stabilità delle prestazioni in ambienti difficili
La resistenza minima in stato attivo ottimizza l'efficienza energetica, riducendo la perdita di potenza complessiva
Caratteristiche capacitive personalizzate per applicazioni di commutazione rapida, che migliorano le prestazioni
I fianchi bagnabili facilitano la saldatura affidabile e una migliore qualità di assemblaggio
Adatta per varie applicazioni, tra cui ADAS, illuminazione e sistemi di controllo della carrozzeria