MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 40 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie
- Codice RS:
- 687-456P
- Codice costruttore:
- AG086FGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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|---|---|
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- Codice RS:
- 687-456P
- Codice costruttore:
- AG086FGD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG086FGD3HRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 76W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, AEC-Q101 | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie AG086FGD3HRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 76W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, AEC-Q101 | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni ad alte prestazioni, con una struttura robusta che garantisce affidabilità ed efficienza. Con una tensione massima drain-source di 40 V e in grado di gestire correnti continue fino a 80 A, questo dispositivo è una soluzione ottimale per i sistemi automobilistici e altri ambienti difficili. La sua bassa resistenza di accensione di soli 4,1 mΩ facilita una perdita di potenza minima durante il funzionamento, caratteristica che lo rende particolarmente vantaggioso per le attività di gestione dell'alimentazione. Completamente certificato AEC-Q101, questo MOSFET soddisfa i rigorosi standard automobilistici, garantendo una qualità costante per le applicazioni più esigenti. Il prodotto supporta un'efficiente dissipazione del calore, consentendo una dissipazione di potenza massima di 76 W mantenendo un'ampia gamma di temperature operative.
La bassa resistenza di accensione di 4,1 mΩ migliora l'efficienza energetica
La qualifica AEC Q101 assicura un'affidabilità di livello automobilistico
La corrente di drenaggio continua massima di 80 A soddisfa le applicazioni ad alto carico
La capacità di corrente di drenaggio a impulsi raggiunge i 160 A per la gestione dei carichi transitori
Supporta una tensione gate-sorgente di ±20 V per un controllo flessibile
Classificato per valanga per una maggiore sicurezza operativa
La specifica della resistenza termica favorisce una gestione efficiente del calore