MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 800 V, 0.45 Ω Miglioramento, 3 Pin, TO-247, Superficie
- Codice RS:
- 687-457P
- Codice costruttore:
- R8011KNZ4C13
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 687-457P
- Codice costruttore:
- R8011KNZ4C13
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | R8011KNZ4 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.45Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 139W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 40mm | |
| Altezza | 5.22mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie R8011KNZ4 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.45Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 139W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 40mm | ||
Altezza 5.22mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per offrire efficienza e affidabilità eccezionali in varie applicazioni. Con una tensione nominale di 800 V e una corrente di drenaggio continua massima di 11 A, questo componente eccelle in ambienti difficili. Progettato per una commutazione rapida, presenta una bassa resistenza in stato attivo di soli 0,45 Ω, che consente una perdita di potenza ridotta e una gestione termica efficiente. La sua struttura robusta garantisce la conformità agli standard ambientali, tra cui la direttiva RoHS, rendendolo una scelta pratica per i moderni progetti elettronici che privilegiano la sostenibilità e le prestazioni.
La bassa resistenza di accensione garantisce un'efficiente erogazione di potenza
La capacità di commutazione rapida ottimizza le prestazioni nelle applicazioni ad alta velocità
La struttura robusta supporta l'uso in parallelo, migliorando la flessibilità di progettazione
Conforme agli standard RoHS, contribuisce a progetti ecocompatibili
L'ampia gamma di temperature d'esercizio da -55 a +150 °C garantisce l'affidabilità in condizioni estreme
I valori nominali di resistenza termica garantiscono un'eccellente gestione del calore in progetti compatti
Le efficaci caratteristiche di carica del gate consentono una più facile integrazione nei circuiti esistenti
Applicazioni versatili nei settori industriale, automobilistico e dell'elettronica di consumo