MOSFET singoli ROHM, canale N 60 V, 7.5 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie
- Codice RS:
- 687-462P
- Codice costruttore:
- AG091FLD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- 687-462P
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- AG091FLD3HRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | AG091FLD3HRB | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 76W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Larghezza | 6.8mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie AG091FLD3HRB | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 76W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Larghezza 6.8mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ROHM è progettato per applicazioni automobilistiche, fornendo un'efficienza e un'affidabilità eccezionali. Con una tensione massima drain-source di 60 V e una capacità di corrente di drenaggio continua di 80 A, questo MOSFET garantisce prestazioni ottimali in ambienti difficili. La bassa resistenza di accensione di 7,5 mΩ riduce significativamente le perdite di potenza, rendendolo adatto a vari sistemi automobilistici e applicazioni ad alta corrente. Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS con placcatura senza piombo, che garantisce la sicurezza ambientale mantenendo prestazioni robuste in condizioni rigorose.
Bassa resistenza all'accensione per una maggiore efficienza e una minore generazione di calore
Certificazione AEC Q101, che garantisce un'elevata affidabilità nelle applicazioni automobilistiche
Testato a valanga al 100% per una maggiore sicurezza e durata
Ampio intervallo di temperature di giunzione da -55 a +175 °C per un uso versatile
Robusta capacità di dissipazione di potenza di 76 W per gestire carichi significativi
L'imballaggio a nastro facilita la movimentazione e l'assemblaggio negli ambienti di produzione
Le specifiche dell'imballaggio in rilievo garantiscono una dinamica sicura durante il trasporto