MOSFET singoli ROHM, canale N 40 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie RD3G08DBKHRBTL
- Codice RS:
- 687-464P
- Codice costruttore:
- RD3G08DBKHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- 687-464P
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- RD3G08DBKHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3G08DBKHRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 76W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.8mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie RD3G08DBKHRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 76W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.8mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono un'efficienza superiore e un'elevata capacità di corrente. Progettato per funzionare a 40 V con una corrente di drenaggio continua massima di 80 A, questo MOSFET offre affidabilità e prestazioni eccezionali in varie condizioni operative. Inoltre, la sua bassa resistenza di accensione di 4,1 mΩ riduce al minimo le perdite di energia, garantendo prestazioni termiche ottimali e una dissipazione di potenza fino a 76 W, rendendolo una scelta ideale per le applicazioni più esigenti nei settori automobilistico e industriale.
Bassa resistenza di accensione per ridurre le perdite di energia durante il funzionamento
Elevata capacità di corrente di drenaggio continua di 80 A per prestazioni robuste
Dissipazione di potenza nominale di 76 W per un funzionamento affidabile in applicazioni ad alta potenza
Corrente nominale a valanga di 30 A, che garantisce la durata in condizioni transitorie
Qualificazione AEC Q101 per l'affidabilità nelle applicazioni automobilistiche
Conforme alla direttiva RoHS con placcatura senza piombo, in linea con gli standard ambientali
Include specifiche di imballaggio come nastro in rilievo per una manipolazione efficiente
Tensioni nominali multiple per soddisfare diversi progetti di circuiti