MOSFET singoli ROHM, canale Tipo N 60 V, 7.5 mΩ Miglioramento, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie
- Codice RS:
- 687-465P
- Codice costruttore:
- RD3L08DBKHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 20 unità (fornito in una striscia continua)*
17,30 €
(IVA esclusa)
21,10 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 24 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 48 | 0,865 € |
| 50 - 198 | 0,775 € |
| 200 - 998 | 0,625 € |
| 1000 + | 0,61 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 687-465P
- Codice costruttore:
- RD3L08DBKHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBKHRB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 76W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 10.50mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101, RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBKHRB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 76W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 10.50mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101, RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- JP
Il MOSFET di potenza ROHM è progettato per garantire prestazioni elevate nelle applicazioni più impegnative, offrendo funzionalità di commutazione affidabili con una bassa resistenza in stato attivo e una robusta tensione di interruzione. Progettato per gestire fino a 80 A di corrente di drenaggio continua e con una tensione massima drain-sorgente di 60 V, questo componente garantisce efficienza e durata. È ideale per l'elettronica automobilistica, l'illuminazione e altri sistemi di gestione dell'alimentazione, grazie alla placcatura senza piombo ed è certificato AEC-Q101, che lo rende conforme ai più recenti standard industriali. Questo MOSFET offre una combinazione di prestazioni termiche e affidabilità eccezionali, che lo rende una scelta adatta per gli ingegneri che desiderano ottimizzare i loro progetti di circuiti.
La bassa resistenza di accensione di 7,5 mΩ massimizza l'efficienza energetica
La qualifica AEC Q101 garantisce un'elevata affidabilità nelle applicazioni automobilistiche
Superato al 100% dei test a valanga per una maggiore durata
In grado di gestire una corrente di drenaggio continua fino a 80 A
La tensione nominale massima drain-source di 60 V fornisce un notevole sovraccarico
La placcatura senza piombo aderisce alla conformità RoHS, promuovendo la responsabilità ambientale
L'imballaggio versatile garantisce la compatibilità con diversi progetti di applicazione
Ideale per l'uso in ADAS, sistemi di informazione e applicazioni di controllo della carrozzeria
Caratteristiche di carica gate ridotte per tempi di commutazione più rapidi