MOSFET singoli ROHM, canale Tipo P -30 V, 8.5 mΩ Miglioramento, 78 A, 3 Pin, TO-252 (TL), Superficie
- Codice RS:
- 687-470P
- Codice costruttore:
- RD3E07BBJHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
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- 687-470P
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- RD3E07BBJHRBTL
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 78A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -30V | |
| Serie | RD3E07BBJHRB | |
| Tipo di package | TO-252 (TL) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 77W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, AEC-Q101 | |
| Lunghezza | 10.5mm | |
| Larghezza | 6.8mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 78A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V | ||
Serie RD3E07BBJHRB | ||
Tipo di package TO-252 (TL) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 77W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 52nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, AEC-Q101 | ||
Lunghezza 10.5mm | ||
Larghezza 6.8mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale P ROHM è progettato per garantire prestazioni elevate in applicazioni complesse. Con una corrente di drenaggio continua massima di ±78 A e una tensione di rottura di -30 V, questo MOSFET è ideale per l'uso in ambienti automobilistici e industriali che richiedono un'efficienza robusta. Il suo pacchetto DPAK compatto consente una facile integrazione in vari progetti, mentre la bassa resistenza in stato attivo di 8,5 mΩ riduce significativamente la perdita di energia. Il prodotto è inoltre certificato AEC-Q101, che garantisce l'affidabilità in condizioni difficili, rendendolo la scelta perfetta per i progettisti che cercano componenti di alta qualità e durevoli per le loro applicazioni elettroniche.
Bassa resistenza di accensione per una maggiore efficienza e una minore generazione di calore
Offre una dissipazione di potenza massima di 77 W per applicazioni ad alta potenza
Prodotto progettato per resistere a un'ampia gamma di temperature d'esercizio, da -55 a +175 °C
Certificazione AEC Q101, che garantisce un'elevata affidabilità per le applicazioni automobilistiche
Test a valanga al 100% per una maggiore durata sotto sforzo
Conforme agli standard senza piombo e RoHS per un utilizzo ecologico
Confezionato in formato DPAK per facilitare il montaggio e l'integrazione
Supporta una capacità di corrente di drenaggio a impulsi di ±156 A per condizioni di carico dinamico.