MOSFET DiodesZetex, canale Canale N 30 V, 68 mΩ Miglioramento, 6.2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie DMN3023L-7
- Codice RS:
- 718-542
- Codice costruttore:
- DMN3023L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 718-542
- Codice costruttore:
- DMN3023L-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | DMN3023L | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 68mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18.4nC | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.3W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 2.5mm | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie DMN3023L | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 68mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18.4nC | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.3W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 2.5mm | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità di potenziamento canale N DiodesZetex è progettato per applicazioni di gestione dell'alimentazione efficiente. La struttura avanzata riduce al minimo la resistenza allo stato attivo, il che lo rende ideale per una varietà di applicazioni in cui l'efficienza energetica è fondamentale. Con eccellenti capacità di commutazione e tensione di soglia minima, questo MOSFET offre prestazioni affidabili in dispositivi elettronici di consumo e industriali. Il prodotto è conforme a RoHS ed è dotato di protezione ESD, garantendo sicurezza e longevità in varie condizioni operative.
Bassa resistenza all'accensione di 25 mΩ a VGS = 10 V per una perdita di potenza ridotta
La bassa soglia di tensione del gate migliora la compatibilità con i segnali di controllo a bassa tensione
La velocità di commutazione rapida supporta efficacemente le applicazioni ad alta frequenza
Il cancello protetto ESD garantisce l'affidabilità del dispositivo in condizioni dinamiche
Completamente privo di piombo e completamente conforme a RoHS per la sicurezza ambientale
Senza alogeni e antimonio, contribuendo alla sua classificazione come dispositivo "verde"
Qualificato secondo gli standard AEC-Q101, garantendo un'elevata affidabilità per le applicazioni automobilistiche
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