MOSFET DiodesZetex, canale Canale P -30 V, 17 mΩ Miglioramento, -35 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 719-553
- Codice costruttore:
- DMP3013SFV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
466,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,233 € | 466,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 719-553
- Codice costruttore:
- DMP3013SFV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | -35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -30V | |
| Serie | DMP3013SFV | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 31W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33.7nC | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.85mm | |
| Lunghezza | 3.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale P | ||
Massima corrente di scarico continua Id -35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V | ||
Serie DMP3013SFV | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 31W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33.7nC | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.85mm | ||
Lunghezza 3.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET in modalità di potenziamento a canale P da 30 V DiodesZetex, progettato per fornire prestazioni di commutazione superiori riducendo al minimo la resistenza allo stato attivo. Il contenitore Compact PowerDI3333-8 è termicamente efficiente, consentendo una maggiore densità nei prodotti finali. Questo MOSFET è particolarmente adatto per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza, offrendo vantaggi significativi in termini di flessibilità di progettazione e ottimizzazione dello spazio.
Il fattore di forma ridotto riduce l'area della scheda del 33% rispetto ai contenitori SO-8
Il design termicamente efficiente consente una maggiore densità nei prodotti finali
Il cancello protetto ESD aumenta l'affidabilità in applicazioni sensibili
Completamente privo di piombo e completamente conforme a RoHS, garantendo la sicurezza ambientale
Senza alogeni e antimonio, il che lo rende un dispositivo "verde"
Il peso è di circa 0,03 grammi, il che facilita la progettazione leggera
Conforme alla classificazione di infiammabilità UL di 94V-0 per una maggiore sicurezza
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