MOSFET DiodesZetex, canale Canale P -30 V, 17 mΩ Miglioramento, -35 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMP3013SFV-7

Codice RS:: 719-553
Codice costruttore:: DMP3013SFV-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale Canale P -30 V, 17 mΩ Miglioramento, -35 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMP3013SFV-7

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

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Codice RS:: 719-553
Codice costruttore:: DMP3013SFV-7
Costruttore:: DiodesZetex

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	DiodesZetex
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Canale P
	Massima corrente di scarico continua Id	-35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-30V
	Serie	DMP3013SFV
	Tipo di package	PowerDI3333-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	17mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-50°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	31W
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	33.7nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.4mm
	Altezza	0.85mm
	Lunghezza	3.4mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio DiodesZetex
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Canale P
	Massima corrente di scarico continua Id -35A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -30V
	Serie DMP3013SFV
	Tipo di package PowerDI3333-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -50°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 31W
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33.7nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.4mm
	Altezza 0.85mm
	Lunghezza 3.4mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - DMP3013SFV-7

Paese di origine:: CN

MOSFET in modalità di potenziamento a canale P da 30 V DiodesZetex, progettato per fornire prestazioni di commutazione superiori riducendo al minimo la resistenza allo stato attivo. Il contenitore Compact PowerDI3333-8 è termicamente efficiente, consentendo una maggiore densità nei prodotti finali. Questo MOSFET è particolarmente adatto per le applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza, offrendo vantaggi significativi in termini di flessibilità di progettazione e ottimizzazione dello spazio.

Il fattore di forma ridotto riduce l'area della scheda del 33% rispetto ai contenitori SO-8

Il design termicamente efficiente consente una maggiore densità nei prodotti finali

Il cancello protetto ESD aumenta l'affidabilità in applicazioni sensibili

Completamente privo di piombo e completamente conforme a RoHS, garantendo la sicurezza ambientale

Senza alogeni e antimonio, il che lo rende un dispositivo "verde"

Il peso è di circa 0,03 grammi, il che facilita la progettazione leggera

Conforme alla classificazione di infiammabilità UL di 94V-0 per una maggiore sicurezza

MOSFET DiodesZetex, canale Canale P -30 V, 17 mΩ Miglioramento, -35 A, 8 Pin, PowerDI3333-8, Superficie DMP3013SFV-7

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