MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 80 V, 0.009 Ω Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
719-658
Codice costruttore:
STP100N8F6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

STP

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.009Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

100nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

176W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.6mm

Lunghezza

15.75mm

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia STripFETTM F6 con una nuova struttura del gate a trincea. Il MOSFET di potenza risultante presenta un RDS(on) molto basso in tutti i contenitori.

Resistenza all'accensione molto bassa

Carica gate molto bassa

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Bassa perdita di potenza dell'azionamento del gate

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