MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N 80 V, 0.009 Ω Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 719-658
- Codice costruttore:
- STP100N8F6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 719-658
- Codice costruttore:
- STP100N8F6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.009Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 100nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 176W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.009Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 100nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 176W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.4mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia STripFETTM F6 con una nuova struttura del gate a trincea. Il MOSFET di potenza risultante presenta un RDS(on) molto basso in tutti i contenitori.
Resistenza all'accensione molto bassa
Carica gate molto bassa
Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga
Bassa perdita di potenza dell'azionamento del gate
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