MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.002 Ω Miglioramento, 373 A, 8 Pin, SO-8SW, Superficie SQRS160EP-T1_GE3

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Codice RS:
735-238
Codice costruttore:
SQRS160EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

373A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8SW

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.002Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

270W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

130nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE

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