MOSFET Vishay, canale Canale N, Canale P 20 V, 0.077 Ω Miglioramento, 4.7 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie SQ3583CEV-T1_GE3

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Codice RS:
736-343
Codice costruttore:
SQ3583CEV-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N, Canale P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSOP-6

Serie

SQ3583CEV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.077Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.67W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il doppio MOSFET Vishay è progettato per applicazioni ad alta affidabilità. Questo componente utilizza la tecnologia TrenchFET per fornire una gestione efficiente dell'alimentazione in un contenitore compatto TSOP-6.

Qualificato per l'uso automobilistico secondo le norme AEC-Q101

Sottoposto a test Rg e UIS al 100% per garantire prestazioni robuste

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