MOSFET Vishay, canale Canale N, Canale P 20 V, 0.077 Ω Miglioramento, 4.7 A, 6 Pin, TSOP-6, Superficie SQ3583CEV-T1_GE3

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Codice RS:
736-343
Codice costruttore:
SQ3583CEV-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N, Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

4.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSOP-6

Serie

SQ3583CEV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.077Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.67W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il doppio MOSFET Vishay è progettato per applicazioni ad alta affidabilità. Questo componente utilizza la tecnologia TrenchFET per fornire una gestione efficiente dell'alimentazione in un contenitore compatto TSOP-6.

Qualificato per l'uso automobilistico secondo le norme AEC-Q101

Sottoposto a test Rg e UIS al 100% per garantire prestazioni robuste

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