MOSFET Vishay, canale Doppio N 60 V, 0.134 Ω Miglioramento, 23.5 A, 8 Pin, SO-8L, Superficie SQJ968EP-T1_BE3

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Codice RS:
736-655
Codice costruttore:
SQJ968EP-T1_BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8L

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.134Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

42W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.13mm

Altezza

1.07mm

Larghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE

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