MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 600 V, 35 mΩ N, 62 A, 3 Pin, TO-247, Montaggio superficiale

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Codice RS:
762-554
Codice costruttore:
STWA60N035M9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

62A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

STWA60N0

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

321W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

112nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Altezza

5.1mm

Lunghezza

21.1mm

Larghezza

15.9 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.

FOM molto bassa

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga