MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 60 V, 5 Ω N, 200 mA, 3 Pin, TO-92, Superficie 2N7000BU

Il MOSFET in modalità di potenziamento a canale N di onsemi è progettato per offrire prestazioni di commutazione eccezionali in applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ad alta densità di celle, questo affidabile transistor mantiene una resistenza minima in stato attivo, il che lo rende ideale per varie applicazioni, tra cui il controllo di piccoli servomotori e i driver gate MOSFET di potenza. Con un design robusto che supporta fino a 400 mA di corrente continua continua e correnti a impulsi che raggiungono 2 A, offre durata ed efficienza, assicurando che soddisfi le esigenze dei moderni progetti elettronici.

I tempi di commutazione rapidi migliorano le prestazioni complessive del sistema