MOSFET singoli onsemi, canale Tipo N 25 V, 9 Ω N, 0.22 A, 3 Pin, SOT-23-3, Superficie FDV301N
- Codice RS:
- 765-307P
- Codice costruttore:
- FDV301N
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 765-307P
- Codice costruttore:
- FDV301N
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 0.22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Serie | FDV3 | |
| Tipo di package | SOT-23-3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9Ω | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.35W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.49nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 0.22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Serie FDV3 | ||
Tipo di package SOT-23-3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9Ω | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.35W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.49nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 1mm | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor a effetto di campo con modalità di potenziamento del livello logico a canale N di onsemi è progettato per applicazioni a bassa tensione. Questo dispositivo avanzato sfrutta la tecnologia proprietaria G S DMOS per ottenere una resistenza minima in stato attivo, il che lo rende una scelta ideale per la sostituzione di diversi transistor digitali. Elimina la necessità di resistenze di polarizzazione, semplificando la progettazione dei circuiti offrendo una singola soluzione FET per varie applicazioni digitali, migliorando in ultima analisi l'efficienza e l'affidabilità dei dispositivi elettronici.
Supporta una corrente di drenaggio continua di 0,22 A con un picco di 0,5 A
Presenta un basso valore di R DS(on) di soli 4 Ohm a 4,5 V, garantendo una gestione efficiente della potenza
Progettato per il funzionamento diretto in circuiti a 3 V, consente una perfetta integrazione in sistemi a bassa tensione
In grado di sostituire più transistor digitali NPN, semplificando il numero di componenti nei progetti
Conforme agli standard senza piombo e senza alogenuri, a supporto di progetti attenti all'ambiente
La resistenza termica di 357 °C/W garantisce prestazioni affidabili in condizioni di temperatura variabili
La tensione nominale massima drain-source di 25 V offre una funzionalità robusta in diverse applicazioni
La gamma di tensioni di soglia gate garantisce prestazioni costanti in tutto lo spettro operativo