MOSFET ROHM, canale Canale N 1700 V, 1.5 Ω, 3.9 A, 7 Pin, TO, Superficie SCT2H12NWBTL1
- Codice RS:
- 780-669P
- Codice costruttore:
- SCT2H12NWBTL1
- Costruttore:
- ROHM
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|---|---|
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- Codice RS:
- 780-669P
- Codice costruttore:
- SCT2H12NWBTL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1700V | |
| Tipo di package | TO | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 0V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 24nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 10.2mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Lunghezza | 15.5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1700V | ||
Tipo di package TO | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 0V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 10.2mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 4.5mm | ||
Lunghezza 15.5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET in carburo di silicio ROHM offre una commutazione a canale N ad alte prestazioni per la gestione dell'alimentazione industriale ad alta tensione. Questo dispositivo SiC avanzato è progettato per alimentatori ausiliari, garantendo una conduttività termica superiore e perdite di commutazione inferiori rispetto ai componenti in silicio tradizionali.
Tensione da drenaggio a sorgente di 1700 V
Corrente di drenaggio continua di 3,9 A
Resistenza di accensione tipica di 1,15 Ohm
Elevata dissipazione di potenza di 39 W