MOSFET Microchip, canale Canale N 3300 V, 80 mΩ, 27 A, 4 Pin, TO-247-4L, Morsetto a vite MSC080SMA330B4N
- Codice RS:
- 813-825
- Codice costruttore:
- MSC080SMA330B4N
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 813-825
- Codice costruttore:
- MSC080SMA330B4N
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 27A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 3300V | |
| Tipo di package | TO-247-4L | |
| Serie | mSiC | |
| Tipo montaggio | Morsetto a vite | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 439W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 161nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Larghezza | 23.6mm | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 27A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 3300V | ||
Tipo di package TO-247-4L | ||
Serie mSiC | ||
Tipo montaggio Morsetto a vite | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 439W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 161nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Larghezza 23.6mm | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Altezza 5.21mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET mSiC a canale N di Microchip è un interruttore elettronico ad alte prestazioni progettato per funzionare in modo efficiente ad alte tensioni e temperature. Funziona principalmente per regolare la potenza in applicazioni avanzate.
Le basse capacità e la carica del gate migliorano l'efficienza di commutazione
La velocità di commutazione rapida garantisce prestazioni ottimali con perdite ridotte
Funzionamento stabile ad alte temperature di giunzione fino a 150 °C
L'affidabile diodo corpo contribuisce alla stabilità e alla longevità del sistema
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