MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.85 mΩ 40 V, 420 A Miglioramento, PowerFLAT, Superficie, 8 Pin STL059N4S8AG

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Codice RS:
820-272
Codice costruttore:
STL059N4S8AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

420A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

STL059N

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.85mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

275nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

187W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1mm

Larghezza

5.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N a 40 V di STMicroelectronics è progettato in Smart STripFET F8, la nuova tecnologia basata su STripFET F8 dedicata per le applicazioni di distribuzione di potenza, con una struttura a gate a trincea migliorata.

Certificazione AEC-Q101

Grado MSL1

Temperatura d'esercizio 175 °C

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Contenitore a fianco umidificabile

RDS(on) estremamente basso

Livello logico

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