MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.85 mΩ 40 V, 420 A Miglioramento, PowerFLAT, Montaggio superficiale, 8 Pin
- Codice RS:
- 820-272
- Codice costruttore:
- STL059N4S8AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 820-272
- Codice costruttore:
- STL059N4S8AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 420A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Serie | STL059N | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.85mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 187W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 275nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Larghezza | 5.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 420A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Serie STL059N | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.85mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 187W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 275nC | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Larghezza 5.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Il MOSFET di potenza a canale N a 40 V di STMicroelectronics è progettato in Smart STripFET F8, la nuova tecnologia basata su STripFET F8 dedicata per le applicazioni di distribuzione di potenza, con una struttura a gate a trincea migliorata.
Certificazione AEC-Q101
Grado MSL1
Temperatura d'esercizio 175 °C
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Contenitore a fianco umidificabile
RDS(on) estremamente basso
Livello logico