MOSFET onsemi, canale N 60 V, 14 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 841-312P
- Codice costruttore:
- RFP70N06
- Costruttore:
- onsemi
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- RFP70N06
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 70A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 14mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 120nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.4mm | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 70A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 14mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 120nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.4mm | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor
I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
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