MOSFET di potenza Vishay, canale N 650 V, 0.04 Ω, 63 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SIHK031N60AE-T1GE3
- Codice RS:
- 851-497
- Codice costruttore:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 851-497
- Codice costruttore:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 63A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.04Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 Qualified | |
| Larghezza | 5.25mm | |
| Lunghezza | 6.05mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 63A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.04Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 Qualified | ||
Larghezza 5.25mm | ||
Lunghezza 6.05mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- KR
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni, offrendo una gestione efficace dei carichi elettrici con un'efficienza superiore e basse perdite di energia.
Utilizza la tecnologia della serie E di quarta generazione per prestazioni migliorate
Offre una bassa resistenza in stato attivo, riducendo la dissipazione di energia
In grado di gestire un'elevata capacità effettiva per un funzionamento affidabile
Fornisce una riduzione significativa delle perdite di commutazione e conduzione